ABB 5SHY4045L0001

¥2,069.00

ABB 5SHY4045L0001的参数如下:
类型:IGCT可控硅主板模块。
特点:当IGCT工作在导通状态时,是一个像晶闸管一样的正反馈开关,其特点是携带电流能力强和通态压降低。 在关断状态下,IGCT门阴极间的pn结提前进入反向偏置,并有效地退出工作,整个器件呈晶体管方式工作。
ABB 5SHY4045L0001 特点
ABB 5SHY4045L0001的特点主要体现在其IGCT(Insulated Gate Commutated Thyristor)技术上。 当IGCT工作在导通状态时,它像一个晶闸管一样,具有正反馈开关的特性,携带电流能力强且通态压降低。 而在关断状态下,IGCT的门极和阴极之间的pn结会提前进入反向偏置,并有效地退出工作,此时整个器件会以晶体管的方式工作。 这种特性使得IGCT在关断过程中能够迅速转移所有的阳极电流,从而确保关断动作的可靠性和高效性。
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Description

ABB 5SHY4045L0001的参数如下:
类型:IGCT可控硅主板模块。
特点:当IGCT工作在导通状态时,是一个像晶闸管一样的正反馈开关,其特点是携带电流能力强和通态压降低。 在关断状态下,IGCT门阴极间的pn结提前进入反向偏置,并有效地退出工作,整个器件呈晶体管方式工作。
ABB 5SHY4045L0001 特点
ABB 5SHY4045L0001的特点主要体现在其IGCT(Insulated Gate Commutated Thyristor)技术上。 当IGCT工作在导通状态时,它像一个晶闸管一样,具有正反馈开关的特性,携带电流能力强且通态压降低。 而在关断状态下,IGCT的门极和阴极之间的pn结会提前进入反向偏置,并有效地退出工作,此时整个器件会以晶体管的方式工作。 这种特性使得IGCT在关断过程中能够迅速转移所有的阳极电流,从而确保关断动作的可靠性和高效性。
此外,由于IGCT在增益接近1时关断,因此可以省去保护性的吸收电路。 而且,IGCT内部是在基极开路的状态下以晶体管模式对阳极电流进行关断,这有助于避免出现所谓的“GTO”状态,允许在关断过程中有更高的阳极电压上升率。 因此,IGCT兼具了晶闸管的低通态压降和高阻断电压,以及晶体管稳定的关断特性,是一种比较理想的大功率半导体开关器件。
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